آماده سازی سطح داخلی ترمیم‌های تمام سرامیکی قبل ازسمان، مهم ترین عامل تأثیرگذار در ماندگاری باند ترمیم سرامیکی به دندان می باشد.
هیدروفلوئوریک اسید با حل کردن ماتریکس گلاسی سرامیک های سیلیکاتی ، منجر به ایجاد سطحی متخلخل به منظور گیر میکرومکانیکال سمان رزینی می شود. متعاقبا استفاده از سایلن به افزایش میزان ترشوندگی سطح اچ شده سرامیک و ایجاد باند شیمیایی بین سمان رزینی و سرامیک کمک می کند.
اما نمک‌های فلوئوروسیلیکات نامحلول تولیدشده پس از اچینگ با HF از نفوذ سمان رزینی به تخلخل سطح اچ شده سرامیک جلوگیری میکند بنابراین تاثیر منفی بر ادهیژن می گذارد.
روش‌های مختلفی برای پاکسازی سطح داخلی سرامیک پس از اچینگ با HF پیشنهاد شده‌است از جمله:
- استفاده از حمام اولتراسونیک
- اسیداچ ۳۷.۵ درصد
- خنثی‌سازی اسید با موادی همچون سدیم بی‌کربنات
البته انتخاب نوع روش پاکسازی سطح سرامیک پس از اچینگ با HF بنابر ترکیبات سرامیک، مدت زمان و غلظت اچینگ متفاوت می باشد.
بهترین روش برای پاکسازی سطح سرامیک لیتیوم دی سیلیکات پس از اچینگ با هیدروفلوئوریک اسید بر اساس تصاویرAFM و نتایج EDX استفاده از اسیدفسفریک 37% با میکروبراش با حرکات ملایم مسواک زدن بمدت 30 ثانیه+ غوطه‌وری در حمام اولتراسونیک بمدت 5 دقیقه می باشد چون بهتر رسوبات تشکیل شده را حذف کرده و باعث نفوذ عمیق‌تر سمان رزینی در سرامیک می‌شود. در این روش خشونت سطحی سرامیک ۱۱.۵٪ بیش تر از سطح اچ شده سرامیک بدون پاکسازی گزارش شده است.
منابع
Agarwal N, Bansal S, Pai UY, Rodrigues SJ, Shetty TB, Saldanha SJ. Effect of post etching cleansing on surface microstructure, surface topography, and micro shear bond strength of lithium disilicate. J Indian Prosthodont Soc. 2020 Oct-Dec;20(4):363-370.
Dos Santos DM, Bitencourt SB, da Silva EV, Matos AO, Benez GC, Rangel EC, Pesqueira AA, Barão VA, Goiato MC. Bond strength of lithium disilicate after cleaning methods of the remaining hydrofluoric acid. J Clin Exp Dent. 2020 Feb 1;12(2):e103-e107.